SVLSI: разработаны устойчивые и быстрые транзисторы из оксида индия

Исследователи из Института промышленной науки Токийского университета представили новый транзистор, изготовленный из оксида индия с добавлением галлия. Об этом ученые сообщили на конференции 2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits (SVLSI).

Транзисторы — это основа всей современной электроники.

Они включают и выключают электрические сигналы, управляя работой смартфонов, компьютеров и даже автомобилей. До сих пор почти все транзисторы делались из кремния. Но по мере того как устройства становятся все меньше, кремний начинает "сдавать позиции" — его уже сложно использовать для создания еще более миниатюрных и мощных чипов.

Ученые новое решение: они создали транзистор из другого материала — оксида индия с добавлением галлия. Этот материал помогает электронам двигаться быстрее, а сам транзистор работает стабильнее.

Кроме того, исследователи использовали особую конструкцию, при которой управляющий элемент (затвор) окружает токовый канал со всех сторон. Такая схема позволяет экономить место на микросхеме и повышает эффективность работы устройства.

Новый транзистор оказался очень "проворным": электроны в нем движутся быстрее, чем в большинстве подобных устройств. Он надежно работал почти три часа под нагрузкой — это много для новых технологий. При этом конструкция разработки подходит для дальнейшего уменьшения размеров, что особенно важно для современных процессоров.

В будущем такие транзисторы могут заменить кремниевые, позволив создавать еще более мощные и миниатюрные устройства — от ноутбуков и смартфонов до суперкомпьютеров и роботов.