Ученые МФТИ придумали, как улучшить материал для создания флешек нового поколения. Открытие предполагает использования для памяти флешек сегнетоэлектриков – особых материалов, которые могут менять электрическую поляризацию под воздействием внешнего электрического поля. Об этом "Газете.Ru" рассказали в МФТИ.
Сегнетоэлектрические пленки оксида гафния являются основой запоминающих устройств нового поколения, которые придут на смену флешкам. Такая память гораздо быстрее памяти обычных флеш-карт и имеет значительно больший срок службы, когда речь идет о количестве возможных циклов записи и перезаписи информации. Однако у нее есть некоторые недостатки, которые необходимо устранить перед массовым внедрением. Например, при многократной перезаписи информации изменяется так называемое "окно памяти" - диапазон значений, при которых устройства могут корректно различать и хранить данные.
Это связано с изменением остаточной поляризации пленки: она изначально довольно мала, но при многократных переключениях постепенно увеличивается. Ученые называют такое явление "пробуждением" сегнетоэлектрика. Его физическая природа до сих пор не была ясна.
"Оказалось, что пробуждение поляризации связано с изменением структуры пленок оксида гафния. Причина этих изменений в структуре заключается в механическом напряжении, возникающем во время обработки пленки при температуре около 500°C, когда аморфная пленка переходит в кристаллическое состояние. Решетка "поворачивается", чтобы снизить это напряжение, что приводит к увеличению поляризации и, соответственно, к расширению окна памяти", - рассказала "Газете.Ru" заведующая лабораторией перспективных концепций хранения данных МФТИ Анастасия Чуприк.
Результаты исследования указывают, что для придания пленке оксида гафния большей поляризации, нужно уменьшить в ней механическое напряжение. Для получения более полной информации о влиянии условий изготовления ячейки памяти на стабильность окна памяти ученые планируют исследовать влияние конкретных условий на структурную перестройку.
Свежие комментарии